Infineon

Diszkrét félvezetők

1 megtekintése - 20 / 6192 termék
A kiválasztottak összehasonlítása 0/8
Megtekintés mint:
Ár
(ÁFA nélkül)
Leírás
Part Details
  • 756 Ft
    Darab (5 darabos csomagbol)
MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 60 V, 8-tüskés, PQFN 5 x 6 HEXFET
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram100 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség60 V
  • Csomag típusaPQFN 5 x 6
  • SorozatHEXFET
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 778 Ft
    Darab (2 darabos csomagbol)
MOSFET tranzisztor + dióda, 1 elem/chip, 170 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) OptiMOS™ 5
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram170 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség100 V
  • SorozatOptiMOS™ 5
  • Csomag típusaD2PAK (TO-263)
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 3 927 Ft
    Darab (egy rudon 30)
Infineon IKQ100N120CH7XKSA1 IGBT N-csatornás, 100 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 1
  • Maximális folyamatos kollektoráram100 A
  • Maximális kollektor kibocsátó feszültség1200 V
  • Maximális kapu kibocsátó feszültség±20V
  • Maximális teljesítménydisszipáció361 W
  • Tranzisztorok száma1
Hasonló IGBT-k megtekintése
  • 140 Ft
    Darab (20 darabos csomagbol)
MOSFET, 1 elem/chip, 9 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 FP CoolMOS™ P7 Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram9 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség600 V
  • Csomag típusaTO-220 FP
  • SorozatCoolMOS™ P7
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 20 Ft
    Darab (3000 egy tekercsen)
MOSFET, 1 elem/chip, 150 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-23
  • Csatorna típusaP
  • Maximális folyamatos nyelőáram150 mA
  • Maximális nyelő forrásfeszültség30 V
  • Csomag típusaSOT-23
  • Rögzítés típusaFelületre szerelhető
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 64 497 FtDarab
Infineon FF600R12ME4WB73BPSA1 IGBT, 600 A, 1200 V
  • Maximális folyamatos kollektoráram600 A
  • Maximális kollektor kibocsátó feszültség1200 V
  • Maximális kapu kibocsátó feszültség20V
  • Maximális teljesítménydisszipáció20 mW
Hasonló IGBT-k megtekintése
  • 40 Ft
    Darab (3000 egy tekercsen)
Varikap dióda, 16.5pF, 10V
  • Diódák konfigurációjaEgyszeres
  • Minimális diódakapacitás16.5pF
  • Maximális záró irányú csúcsfeszültség10V
Hasonló Varaktor diódák megtekintése
  • 995 Ft
    Darab (5 darabos csomagbol)
MOSFET tranzisztor + dióda, 2 elem/chip, 73 A, 100 V, 2-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram73 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség100 V
  • Csomag típusaD2PAK (TO-263)
  • SorozatHEXFET
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 4 575 FtDarab
  • 1 113 Ft
    Darab (egy rudon 30)
Infineon AIGW40N65H5XKSA1 IGBT, 74 A, 650 V, 3-tüskés, PG-TO247-3
  • Maximális folyamatos kollektoráram74 A
  • Maximális kollektor kibocsátó feszültség650 V
  • Maximális kapu kibocsátó feszültség±20 V, ±30 V
  • Maximális teljesítménydisszipáció250 W
  • Csomag típusaPG-TO247-3
Hasonló IGBT-k megtekintése
  • 1 789 FtDarab
Infineon AUIRG4PH50S IGBT, 141 A, 1200 V, TO-247AC
  • Maximális folyamatos kollektoráram141 A
  • Maximális kollektor kibocsátó feszültség1200 V
  • Maximális kapu kibocsátó feszültség±20V
  • Maximális teljesítménydisszipáció543 W
  • Csomag típusaTO-247AC
Hasonló IGBT-k megtekintése
  • 57 Ft
    Darab (egy rudon 75)
MOSFET, 1 elem/chip, 3,7 A, 600 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) CoolMOS™ CE Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram3,7 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség600 V
  • SorozatCoolMOS™ CE
  • Csomag típusaIPAK (TO-251)
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 21 Ft
    Darab (10 darabos csomagbol)
MOSFET, 1 elem/chip, 150 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-23
  • Csatorna típusaP
  • Maximális folyamatos nyelőáram150 mA
  • Maximális nyelő forrásfeszültség30 V
  • Csomag típusaSOT-23
  • Rögzítés típusaFelületre szerelhető
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 359 Ft
    Darab (1000 egy tekercsen)
MOSFET tranzisztor + dióda, 1 elem/chip, 80 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) OptiMOS™ 3
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram80 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség100 V
  • SorozatOptiMOS™ 3
  • Csomag típusaD2PAK (TO-263)
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 18 634 Ft
    Darab (egy rudon 240)
MOSFET, 1 elem/chip, 225 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram225 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség1200 V
  • Csomag típusaTO-247
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 170 Ft
    Darab (5000 egy tekercsen)
MOSFET, 1 elem/chip, 74 A, 80 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 OptiMOS™ 5 Szilikon
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram74 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség80 V
  • Csomag típusaSuperSO8 5 x 6
  • SorozatOptiMOS™ 5
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 100 Ft
    Darab (10 darabos csomagbol)
MOSFET, 1 elem/chip, 85 A, 40 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ Egyszeres
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram85 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség40 V
  • Csomag típusaTDSON
  • SorozatOptiMOS™
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 40 Ft
    Darab (25 darabos csomagbol)
Varikap dióda, 16.5pF, 10V
  • Diódák konfigurációjaEgyszeres
  • Minimális diódakapacitás16.5pF
  • Maximális záró irányú csúcsfeszültség10V
Hasonló Varaktor diódák megtekintése
  • 90 Ft
    Darab (2500 egy tekercsen)
MOSFET, 4,5 A, 650 V, PG-TO 252-3
  • Maximális folyamatos nyelőáram4,5 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség650 V
  • Csomag típusaPG-TO 252-3
  • Rögzítés típusaFelületre szerelhető
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • 4 877 Ft
    Darab (egy rudon 30)
Infineon IKQ140N120CH7XKSA1 IGBT N-csatornás, 140 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 1
  • Maximális folyamatos kollektoráram140 A
  • Maximális kollektor kibocsátó feszültség1200 V
  • Maximális kapu kibocsátó feszültség±20V
  • Maximális teljesítménydisszipáció962 W
  • Tranzisztorok száma1
Hasonló IGBT-k megtekintése
Nemrégiben keresett
Gyakran ismételt kérdések
Segítségre van szüksége?
Hívja ügyfélszolgálatunkat:
06 1 580 2262