Infineon Diszkrét félvezetők| RS

Infineon

Diszkrét félvezetők

Kategóriák

21 megtekintése - 40 / 6441 termék
A kiválasztottak összehasonlítása 0/8
Megtekintés mint:
Ár
(ÁFA nélkül)
Leírás
Part Details
MOSFET, 1 elem/chip, 86 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET
  • 97 Ft
    Darab (25 darabos csomagbol)
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
MOSFET, 1 elem/chip, 86 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram86 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség30 V
  • SorozatHEXFET
  • Csomag típusaDPAK (TO-252)
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 250 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET
  • 636 Ft
    Darab (5 darabos csomagbol)
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 250 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram45 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség250 V
  • Csomag típusaD2PAK (TO-263)
  • SorozatHEXFET
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
MOSFET, 2000 V, AG-EASY3B
  • 109 038 Ft
    Darab (egy talcan 8)
MOSFET, 2000 V, AG-EASY3B
  • Maximális nyelő forrásfeszültség2000 V
  • Csomag típusaAG-EASY3B
  • Rögzítés típusaFelületre szerelhető
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
MOSFET, 1 elem/chip, 350 A, 40 V, 3-tüskés, TO-247AC HEXFET Egyszeres Si
  • 909 Ft
    Darab (egy rudon 25)
MOSFET, 1 elem/chip, 350 A, 40 V, 3-tüskés, TO-247AC HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram350 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség40 V
  • Csomag típusaTO-247AC
  • SorozatHEXFET
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
Infineon FS50R07N2E4BOSA1 IGBT-modul N-csatornás, 70 A, 650 V, 1MHz, 28-tüskés, ECONO2 3 fázisú
  • 13 812 Ft
    Darab (egy talcan 10)
Infineon FS50R07N2E4BOSA1 IGBT-modul N-csatornás, 70 A, 650 V, 1MHz, 28-tüskés, ECONO2 3 fázisú
  • Maximális folyamatos kollektoráram70 A
  • Maximális kollektor kibocsátó feszültség650 V
  • Maximális kapu kibocsátó feszültség±20V
  • Maximális teljesítménydisszipáció190 W
  • Csomag típusaECONO2
Hasonló IGBT-k megtekintése
ESD védő dióda Kétirányú, 20V, WLL-2
  • 47 Ft
    Darab (15 darabos csomagbol)
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
ESD védő dióda Kétirányú, 20V, WLL-2
  • Irány típusaKétirányú
  • Diódák konfigurációjaEgyszeres, Kétirányú
  • Maximális befogó feszültség20V
  • Rögzítés típusaNyomtatott áramkörre szerelhető
  • Csomag típusaWLL-2
Hasonló TVS diódák megtekintése
MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 200 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si
  • 269 Ft
    Darab (800 egy tekercsen)
MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 200 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram18 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség200 V
  • SorozatHEXFET
  • Csomag típusaD2PAK (TO-263)
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 700 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) CoolMOS™ Szilikon
  • 62 Ft
    Darab (25 darabos csomagbol)
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 700 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) CoolMOS™ Szilikon
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram4 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség700 V
  • Csomag típusaIPAK (TO-251)
  • SorozatCoolMOS™
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 2,3 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 OptiMOS™ 2 Egyszeres Si
  • 69 Ft
    Darab (250 egy tekercsen)
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 2,3 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 OptiMOS™ 2 Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram2,3 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség20 V
  • Csomag típusaSOT-23
  • SorozatOptiMOS™ 2
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220 CoolMOS™ C3 Egyszeres Si
  • 1 026 FtDarab
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220 CoolMOS™ C3 Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram11 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség800 V
  • SorozatCoolMOS™ C3
  • Csomag típusaTO-220
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
MOSFET, 1 elem/chip, 1,2 A, 100 V, 3-tüskés, SOT-223 OptiMOS™ Egyszeres Si
  • 116 Ft
    Darab (1000 egy tekercsen)
MOSFET, 1 elem/chip, 1,2 A, 100 V, 3-tüskés, SOT-223 OptiMOS™ Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram1,2 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség100 V
  • SorozatOptiMOS™
  • Csomag típusaSOT-223
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
MOSFET, 166 A, 80 V, PG-TO263-3
  • 987 FtDarab
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
MOSFET, 166 A, 80 V, PG-TO263-3
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram166 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség80 V
  • Csomag típusaPG-TO263-3
  • Rögzítés típusaFelületre szerelhető
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
Infineon IM564X6DXKMA1 IGBT N-csatornás, 20 A, 2,05 V, 24-tüskés, DIP 7
  • 7 562 FtDarab
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
Infineon IM564X6DXKMA1 IGBT N-csatornás, 20 A, 2,05 V, 24-tüskés, DIP 7
  • Maximális folyamatos kollektoráram20 A
  • Maximális kollektor kibocsátó feszültség2,05 V
  • Maximális kapu kibocsátó feszültség20V
  • Maximális teljesítménydisszipáció63.1 W
  • Tranzisztorok száma7
Hasonló IGBT-k megtekintése
Infineon IRGP4063DPBF IGBT N-csatornás, 96 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres
  • 1 482 FtDarab
Infineon IRGP4063DPBF IGBT N-csatornás, 96 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres
  • Maximális folyamatos kollektoráram96 A
  • Maximális kollektor kibocsátó feszültség600 V
  • Maximális kapu kibocsátó feszültség±20V
  • Csomag típusaTO-247AC
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
Hasonló IGBT-k megtekintése
MOSFET, 8,5 A, 25 V, DFN2020 HEXFET
  • 52 Ft
    Darab (25 darabos csomagbol)
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
MOSFET, 8,5 A, 25 V, DFN2020 HEXFET
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram8,5 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség25 V
  • SorozatHEXFET
  • Csomag típusaDFN2020
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
MOSFET, 2 elem/chip, 20 A, 60 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 kettős OptiMOS™ -T2 Si
  • 213 Ft
    Darab (5000 egy tekercsen)
MOSFET, 2 elem/chip, 20 A, 60 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 kettős OptiMOS™ -T2 Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram20 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség60 V
  • Csomag típusaSuperSO8 5 x 6 kettős
  • SorozatOptiMOS™ -T2
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
MOSFET, 1 elem/chip, 82 A, 75 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET
  • 318 Ft
    Darab (800 egy tekercsen)
MOSFET, 1 elem/chip, 82 A, 75 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram82 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség75 V
  • Csomag típusaD2PAK (TO-263)
  • SorozatHEXFET
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
Dióda 130mA, 8V Schottky, Schottky, 3-tüskés, SOT-323
  • 45 Ft
    Darab (50 darabos csomagbol)
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
Dióda 130mA, 8V Schottky, Schottky, 3-tüskés, SOT-323
  • Rögzítés típusaFelületre szerelhető
  • Csomag típusaSOT-323
  • Maximális folyamatos továbbítási áram130mA
  • Ismétlődő záró irányú csúcsfeszültség8V
  • Diódák konfigurációjaSorba kötött
Hasonló Schottky-diódák és egyenirányítók megtekintése
MOSFET, 1 elem/chip, 31 A, 650 V, 3-tüskés, TO 263 CoolMOS™ Szilikon
  • 778 Ft
    Darab (1000 egy tekercsen)
MOSFET, 1 elem/chip, 31 A, 650 V, 3-tüskés, TO 263 CoolMOS™ Szilikon
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram31 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség650 V
  • Csomag típusaTO 263
  • SorozatCoolMOS™
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si
  • 488 FtDarab
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram36 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség100 V
  • SorozatHEXFET
  • Csomag típusaTO-220AB
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
Nemrégiben keresett
Gyakran ismételt kérdések
Segítségre van szüksége?
Hívja ügyfélszolgálatunkat:
06 1 580 2262
Szolgáltatások
Rólunk
Népszerű témák
Hívjon minket
06 1 580 2262
© RS Components Sp. z o.o.
ul. Domaniewska 48 02-672 Warszawa Poland
Payment options