Félvezetők
Kategóriák
(58)
Hidas egyenirányítók
(97)
IGBT-k
(22)
Kapcsolódiódák
(271)
MOSFET-ek
(121)
Tirisztorok
(2)
Triacok
Ár (ÁFA nélkül) | Leírás | Part Details |
IXYS IXXH80N65B4H1 IGBT N-csatornás, 430 A, 650 V, 5 → 30kHz, 3-tüskés, TO-247AD 1 Egyszeres
|
||
IXYS IXXK100N60C3H1 IGBT N-csatornás, 100 A, 600 V, 20 → 60kHz, 3-tüskés, TO-264 1 Egyszeres
|
||
IXYS IXXK110N65B4H1 IGBT N-csatornás, 570 A, 650 V, 10 → 30kHz, 3-tüskés, TO-264 1 Egyszeres
|
||
IXYS IXXH80N65B4H1 IGBT N-csatornás, 430 A, 650 V, 5 → 30kHz, 3-tüskés, TO-247AD 1 Egyszeres
|
||
IXYS IXXK100N60C3H1 IGBT N-csatornás, 100 A, 600 V, 20 → 60kHz, 3-tüskés, TO-264 1 Egyszeres
|
||
Dióda 28A, 1600V Szilícium átmenet, Egyenirányító, 3-tüskés, TO-247AD 1.6V
|
||
|
Dióda 30A, 1600V Szilícium átmenet, Egyenirányító, 2-tüskés, TO-220AC 1.45V
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 360 A, 100 V, 4-tüskés, SOT-227 GigaMOS Trench HiperFET
|
||
Tirisztor 1600V, 158A, 200mA, 4-tüskés
|
||
|
IXYS VBO25-12NO2 Hidas egyenirányító modul, 38A, 1200V, 4-tüskés, FO-A
|
|
IXYS IXXK110N65B4H1 IGBT N-csatornás, 570 A, 650 V, 10 → 30kHz, 3-tüskés, TO-264 1 Egyszeres
|
||
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 300 V, 3-tüskés, TO-220 HiperFET, Polar Egyszeres Si
|
||
IXYS DSEP29-12A Dióda Szilícium átmenet, 2-tüskés, TO-220AC 2.75V
|
||
Dióda 90A, 1200V, 60ns Szilícium átmenet, Egyenirányító, 4-tüskés, SOT-227B 1.87V
|
||
MOSFET, 1 elem/chip, 310 A, 150 V, 4-tüskés, SOT-227 GigaMOS TrenchT2 HiperFET
|
||
Dióda 75A, 1200V, 300ns Szilícium átmenet, Egyenirányító, 3-tüskés, TO-240AA 2.64V
|
||
MOSFET, 1 elem/chip, 62 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 Linear Egyszeres Si
|
||
|
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si
|
|
SCR Tirisztor 1200V, 19A, 28mA, 3-tüskés
|
||
Dióda 25A, 1200V, 70ns Szilícium átmenet, Egyenirányító, 4-tüskés, SOT-227B 5.92V
|

Nemrégiben keresett