onsemi

Diszkrét félvezetők

Kategóriák

1 megtekintése - 20 / 6194 termék
A kiválasztottak összehasonlítása 0/8
Megtekintés mint:
Ár
(ÁFA nélkül)
Leírás
Part Details
MOSFET, 1 elem/chip, 65 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres
  • 5 071 Ft
    Darab (egy rudon 30)
MOSFET, 1 elem/chip, 65 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram65 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség650 V
  • Csomag típusaTO-247
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
onsemi 3.04 x 1.4 x 1.01mm Egyszeres SZBZX84C11LT1G +150 °C 225 mW 100nA 20Ω -65 °C Felületre szerelhető 11V 1 SOT-23 3
  • 64 Ft
    Darab (50 darabos szeletbol)
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
onsemi 3.04 x 1.4 x 1.01mm Egyszeres SZBZX84C11LT1G +150 °C 225 mW 100nA 20Ω -65 °C Felületre szerelhető 11V 1 SOT-23 3
  • Diódák konfigurációjaEgyszeres
  • Névleges Zener-feszültség11V
  • Rögzítés típusaFelületre szerelhető
  • Elemek száma chipenként1
  • Maximális teljesítménydisszipáció225 mW
Hasonló Zener diódák megtekintése
MOSFET, 1 elem/chip, 3,5 A, 20 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si
  • 139 Ft
    Darab (2500 egy tekercsen)
MOSFET, 1 elem/chip, 3,5 A, 20 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si
  • Csatorna típusaP
  • Maximális folyamatos nyelőáram3,5 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség20 V
  • Csomag típusaSOIC
  • Rögzítés típusaFelületre szerelhető
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
MOSFET, 1 elem/chip, 46 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres
  • 3 352 Ft
    Darab (egy rudon 30)
MOSFET, 1 elem/chip, 46 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram46 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség650 V
  • Csomag típusaTO-247
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
MOSFET, 1 elem/chip, 46 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) PowerTrench Egyszeres Si
  • 117 Ft
    Darab (2500 egy tekercsen)
MOSFET, 1 elem/chip, 46 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) PowerTrench Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram46 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség30 V
  • Csomag típusaDPAK (TO-252)
  • SorozatPowerTrench
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres
  • 2 054 Ft
    Darab (egy rudon 30)
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram30 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség650 V
  • Csomag típusaTO-247
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
onsemi NXH020F120MNF1PTG IGBT-modul, F1-4PACK benyomható érintkezők előre felvitt hővezető felülettel (TIM) (ólommentes
  • 61 237 Ft
    Darab (egy talcan 28)
onsemi NXH020F120MNF1PTG IGBT-modul, F1-4PACK benyomható érintkezők előre felvitt hővezető felülettel (TIM) (ólommentes
  • Tranzisztorok száma4
  • Maximális teljesítménydisszipáció119 W
  • Csomag típusaF1-4PACK benyomható érintkezők előre felvitt hővezető felülettel (TIM) (ólommentes és halogenid mentes)
Hasonló IGBT-k megtekintése
  • RS raktári szám
    245-6957
  • Gyártó
    onsemi
  • Gyártó cikkszáma
    NXH020F120MNF1PTG
onsemi 2.69 x 1.6 x 1.12mm Egyszeres MMSZ5233BG +150 °C 500 mW 5μA 7Ω -55 °C Felületre szerelhető 6V 1 SOD-123 2 Zener
  • 48 Ft
    Darab (20 darabos csomagbol)
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
onsemi 2.69 x 1.6 x 1.12mm Egyszeres MMSZ5233BG +150 °C 500 mW 5μA 7Ω -55 °C Felületre szerelhető 6V 1 SOD-123 2 Zener
  • Névleges Zener-feszültség6V
  • Diódák konfigurációjaEgyszeres
  • Elemek száma chipenként1
  • Rögzítés típusaFelületre szerelhető
  • Maximális teljesítménydisszipáció500 mW
Hasonló Zener diódák megtekintése
Tranzisztor MJW21195G, PNP, -16 A, -250 V, 1 MHz, 3-tüskés Egyszeres
  • 1 597 Ft
    Darab (2 darabos csomagbol)
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
Tranzisztor MJW21195G, PNP, -16 A, -250 V, 1 MHz, 3-tüskés Egyszeres
  • TranzisztortípusPNP
  • Maximális DC kollektoráram-16 A
  • Maximális kollektor kibocsátó feszültség-250 V
  • Csomag típusaTO-247
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
Hasonló Bipoláris tranzisztorok megtekintése
MOSFET, 1 elem/chip, 147 A, 80 V, 8-tüskés, PQFN8 Egyszeres
  • 3 022 Ft
    Darab (3000 egy tekercsen)
MOSFET, 1 elem/chip, 147 A, 80 V, 8-tüskés, PQFN8 Egyszeres
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram147 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség80 V
  • Csomag típusaPQFN8
  • Rögzítés típusaFelületre szerelhető
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
onsemi NXH300B100H4Q2F2SG IGBT-modul, 73 A, 1000 V, 93x47 (FORRASZTHATÓ PIN-kód) (ólommentes és halogenid-mentes
  • 63 987 Ft
    Darab (egy talcan 36)
onsemi NXH300B100H4Q2F2SG IGBT-modul, 73 A, 1000 V, 93x47 (FORRASZTHATÓ PIN-kód) (ólommentes és halogenid-mentes
  • Maximális folyamatos kollektoráram73 A
  • Maximális kollektor kibocsátó feszültség1000 V
  • Maximális kapu kibocsátó feszültség±20V
  • Tranzisztorok száma6
  • Maximális teljesítménydisszipáció79 W
Hasonló IGBT-k megtekintése
  • RS raktári szám
    245-6970
  • Gyártó
    onsemi
  • Gyártó cikkszáma
    NXH300B100H4Q2F2SG
Dióda 10A, 650V SiC Schottky, SiC Schottky, 2-tüskés, TO-220F
  • 1 154 Ft
    Darab (egy rudon 50)
Dióda 10A, 650V SiC Schottky, SiC Schottky, 2-tüskés, TO-220F
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
  • Csomag típusaTO-220F
  • Maximális folyamatos továbbítási áram10A
  • Ismétlődő záró irányú csúcsfeszültség650V
  • Diódák konfigurációjaEgyszeres
Hasonló Schottky-diódák és egyenirányítók megtekintése
onsemi NXH020F120MNF1PTG IGBT-modul, F1-4PACK benyomható érintkezők előre felvitt hővezető felülettel (TIM) (ólommentes
  • 65 376 FtDarab
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
onsemi NXH020F120MNF1PTG IGBT-modul, F1-4PACK benyomható érintkezők előre felvitt hővezető felülettel (TIM) (ólommentes
  • Maximális teljesítménydisszipáció119 W
  • Tranzisztorok száma4
  • Csomag típusaF1-4PACK benyomható érintkezők előre felvitt hővezető felülettel (TIM) (ólommentes és halogenid mentes)
Hasonló IGBT-k megtekintése
  • RS raktári szám
    245-6958
  • Gyártó
    onsemi
  • Gyártó cikkszáma
    NXH020F120MNF1PTG
Digitális tranzisztor MSD42WT1G, NPN, 150 mA, 300 V, 3-tüskés Egyszeres
  • 68 Ft
    Darab (50 darabos csomagbol)
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
Digitális tranzisztor MSD42WT1G, NPN, 150 mA, 300 V, 3-tüskés Egyszeres
  • TranzisztortípusNPN
  • Maximális DC kollektoráram150 mA
  • Maximális kollektor kibocsátó feszültség300 V
  • Csomag típusaSOT-323 (SC-70)
  • Rögzítés típusaFelületre szerelhető
Hasonló Bipoláris tranzisztorok megtekintése
Tranzisztor KSA1015YTA, PNP, -150 mA, -50 V, 1 MHz, 3-tüskés Egyszeres
  • 47 Ft
    Darab (200 darabos csomagbol)
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
Tranzisztor KSA1015YTA, PNP, -150 mA, -50 V, 1 MHz, 3-tüskés Egyszeres
  • TranzisztortípusPNP
  • Maximális DC kollektoráram-150 mA
  • Maximális kollektor kibocsátó feszültség-50 V
  • Csomag típusaTO-92
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
Hasonló Bipoláris tranzisztorok megtekintése
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 287 A, 60 V, 4 + Tab-tüskés, DFN NVMFS5C604NL Egyszeres
  • 1 036 Ft
    Darab (1500 egy tekercsen)
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 287 A, 60 V, 4 + Tab-tüskés, DFN NVMFS5C604NL Egyszeres
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram287 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség60 V
  • SorozatNVMFS5C604NL
  • Csomag típusaDFN
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
  • RS raktári szám
    141-2084
  • Gyártó
    onsemi
  • Gyártó cikkszáma
    NVMFS5C604NLAFT1G
Dióda 3A, 20V Schottky korlát, Schottky, 2-tüskés, DO-214AB (SMC) 500mV
  • 238 Ft
    Darab (25 darabos csomagbol)
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
Dióda 3A, 20V Schottky korlát, Schottky, 2-tüskés, DO-214AB (SMC) 500mV
  • Rögzítés típusaFelületre szerelhető
  • Csomag típusaDO-214AB (SMC)
  • Maximális folyamatos továbbítási áram3A
  • Ismétlődő záró irányú csúcsfeszültség20V
  • Diódák konfigurációjaEgyszeres
Hasonló Schottky-diódák és egyenirányítók megtekintése
MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres
  • 2 018 Ft
    Darab (egy rudon 50)
MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram40 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség650 V
  • Csomag típusaTO-220
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
onsemi NXH300B100H4Q2F2SG IGBT-modul, 73 A, 1000 V, 93x47 (FORRASZTHATÓ PIN-kód) (ólommentes és halogenid-mentes
  • 141 125 FtDarab
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
onsemi NXH300B100H4Q2F2SG IGBT-modul, 73 A, 1000 V, 93x47 (FORRASZTHATÓ PIN-kód) (ólommentes és halogenid-mentes
  • Maximális folyamatos kollektoráram73 A
  • Maximális kollektor kibocsátó feszültség1000 V
  • Maximális kapu kibocsátó feszültség±20V
  • Tranzisztorok száma6
  • Maximális teljesítménydisszipáció79 W
Hasonló IGBT-k megtekintése
  • RS raktári szám
    245-6971
  • Gyártó
    onsemi
  • Gyártó cikkszáma
    NXH300B100H4Q2F2SG
Dióda 25A, 45V Schottky korlát, Schottky, 3-tüskés, TO-220FP 700mV
  • 566 Ft
    Darab (5 darabos csomagbol)
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
Dióda 25A, 45V Schottky korlát, Schottky, 3-tüskés, TO-220FP 700mV
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
  • Csomag típusaTO-220FP
  • Maximális folyamatos továbbítási áram25A
  • Ismétlődő záró irányú csúcsfeszültség45V
  • Diódák konfigurációjaKözös katód
Hasonló Schottky-diódák és egyenirányítók megtekintése
Nemrégiben keresett
Gyakran ismételt kérdések
Segítségre van szüksége?
Hívja ügyfélszolgálatunkat:
06 1 580 2262
Szolgáltatások
Rólunk
Népszerű témák
Hívjon minket
06 1 580 2262
© RS Components Sp. z o.o.
ul. Domaniewska 48 02-672 Warszawa Poland
Payment options