Diszkrét félvezetők
Kategóriák
Diszkrét félvezetők
(1355)
Bipoláris tranzisztorok
(122)
Darlington-párok
(114)
Hidas egyenirányítók
(176)
IGBT-k
(55)
JFET-ek
(213)
Kapcsolódiódák
(1806)
MOSFET-ek
(3)
PIN diódák
(271)
TVS diódák
(1046)
Zener diódák
Ár (ÁFA nélkül) | Leírás | Part Details |
|
Dióda 20A, 150V Schottky korlát, Schottky, 3-tüskés, TO-220FP 870mV
|
|
|
Tranzisztor NJVMJB41CT4G, NPN, 6 A, 100 V, 1 MHz, 3-tüskés Egyszeres
|
|
|
onsemi 2.72 (Dia.) x 5.2mm Egyszeres 1N4747A +200 °C 1 W 5μA 22Ω -65 °C Furatszerelt 20V 1 DO-41 2 Zener dióda 12.5mA
|
|
|
Dióda 3A, 80V Schottky korlát, Schottky, 2-tüskés, DO-214AB (SMC) 850mV
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 131 A, 100 V, 5-tüskés, DFN5 Si
|
|
|
Digitális tranzisztor NSBC114EDXV6T1G, NPN, 100 mA, 50 V, 6-tüskés Kettős
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 350 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-523 (SC-89) PowerTrench Egyszeres Si
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220F PowerTrench Egyszeres Si
|
|
|
Dióda 50mA, 2V Schottky korlát, Schottky, 2-tüskés, X2DFN
|
|
|
onsemi FGA30N120FTDTU IGBT N-csatornás, 60 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-3PN Egyszeres
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 12,8 A, 40 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Egyszeres Si
|
|
|
MOSFET, 2 elem/chip, 7 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Izolált Si
|
|
|
Tranzisztor MJD210T4G, PNP, -5 A, -25 V, 10 MHz, 3-tüskés Egyszeres
|
|
|
MOSFET tranzisztor + dióda, 1 elem/chip, 60 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) NTB Si
|
|
|
Dióda 200mA, 200V Szilícium átmenet, Egyenirányító, 3-tüskés, SOT-23 1.15V
|
|
|
MOSFET, 2 elem/chip, 6 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Izolált Si
|
|
|
onsemi NFAQ1560R43TL Intelligens tápmodul N-csatornás, 600 V, 38-tüskés, DIP 6 Sorba kötött
|
|
|
Dióda 1A, 30V Schottky korlát, Schottky, 2-tüskés, DO-41 550mV
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 160 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) PowerTrench Egyszeres Si
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 560 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si
|
Nemrégiben keresett
