Diszkrét félvezetők
Kategóriák
Diszkrét félvezetők
(1355)
Bipoláris tranzisztorok
(122)
Darlington-párok
(114)
Hidas egyenirányítók
(176)
IGBT-k
(55)
JFET-ek
(213)
Kapcsolódiódák
(1806)
MOSFET-ek
(3)
PIN diódák
(271)
TVS diódák
(1046)
Zener diódák
Ár (ÁFA nélkül) | Leírás | Part Details |
|
AEC-Q101 onsemi 3.04 x 1.4 x 1mm Egyszeres 10mA 0.9V SZBZX84C10LT1G +150 °C 250 mW 200nA 20Ω -65 °C Felületre
|
|
|
AEC-Q101 ESD védő tömb Egyirányú, -1.7V, 225mW, SOT-23, 3-tüskés
|
|
|
AEC-Q101 ESD védő tömb Egyirányú, -1.7V, 225mW, SOT-23, 3-tüskés
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 47 A, 60 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 9 A, 200 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) QFET Egyszeres Si
|
|
|
onsemi 2.69 x 1.6 x 1.12mm Egyszeres MMSZ5256BT1G +150 °C 500 mW 100nA 49Ω -55 °C Felületre szerelhető 30V 1 SOD-123 2
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 1.5 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 PowerTrench Egyszeres Si
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 130 mA, 50 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si
|
|
|
onsemi 3.68 (Dia.) x 8.89mm Egyszeres 1N5336BG +200 °C 5 W 10μA 500Ω -65 °C Furatszerelt 4.3V 1 Surmetic 40 2 Zener
|
|
|
Dióda 35A, 1700V SiC Schottky, SiC Schottky, 2-tüskés, TO-247 2.8V
|
|
|
onsemi 3.68 (Dia.) x 8.89mm Egyszeres 1A 1.2V 1N5358BRLG +200 °C 5 W 500nA 75Ω -65 °C Furatszerelt 22V 1 017AA TOK 2
|
|
|
onsemi NFAM0512L5BT IGBT N-csatornás, 5 A, 1200 V, 39-tüskés, DIP 6
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 8.8 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 8,8 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si
|
|
|
Dióda 22.5A, 1200V SiC Schottky, SiC Schottky, 3-tüskés, TO-252
|
|
|
Digitális tranzisztor FDA38N30, 3-tüskés
|
|
|
Dióda 6A, 60V Schottky korlát, Schottky, 3-tüskés, DPAK (TO-252)
|
|
|
Dióda 500mA, 180V Szilícium átmenet, Egyenirányító, 2-tüskés, SOD-80 1V
|
|
|
TVS dióda Egyirányú, 40V, 40W, SOT-23, 3-tüskés
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 150 V, 8-tüskés, MicroFET 2 x 2 PowerTrench Egyszeres Si
|
Nemrégiben keresett
