Diszkrét félvezetők
Kategóriák
Diszkrét félvezetők
(1355)
Bipoláris tranzisztorok
(122)
Darlington-párok
(114)
Hidas egyenirányítók
(176)
IGBT-k
(55)
JFET-ek
(213)
Kapcsolódiódák
(1806)
MOSFET-ek
(3)
PIN diódák
(271)
TVS diódák
(1046)
Zener diódák
Ár (ÁFA nélkül) | Leírás | Part Details |
|
Dióda 30mA, 40V Schottky korlát, Schottky, 2-tüskés, SOD-323
|
|
|
Dióda 3A, 200V, 30ns Schottky, Schottky, 2-tüskés, DO-214AA (SMB) 900mV
|
|
|
onsemi GBPC3501W hidas egyenirányító, 35A, 100V, 4-tüskés, GBPC-W
|
|
|
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 50 mA, 15 V, 5-tüskés, MCPH Egyszeres
|
|
|
onsemi 2.72 (Dia.) x 5.2mm Egyszeres 1N4732A +200 °C 1 W 10μA 8Ω -65 °C Furatszerelt 4.7V 1 DO-41 2 Zener dióda 53mA
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 214 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB PowerTrench Egyszeres Si
|
|
|
MOSFET, 2 elem/chip, 6,5 A, 9 A, 40 V, 5-tüskés, DPAK (TO-252) PowerTrench Közös elvezető Si
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 8.9 A, 80 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Egyszeres Si
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 100 V, 3-tüskés, SOT-223 QFET Egyszeres Si
|
|
|
onsemi 3.68 (Dia.) x 8.89mm Egyszeres 1A 1.2V 1N5348BG +200 °C 5 W 8μA 125 Ω @ 1 mA, 2.5 Ω @ 125 mA -65 °C
|
|
|
Tranzisztor FJB3307DTM, NPN, 8 A, 400 V, 1 MHz, 3-tüskés Egyszeres
|
|
|
Digitális tranzisztor CPH6350-TL-W, 6-tüskés
|
|
|
onsemi FGHL50T65SQDT IGBT N-csatornás, 100 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 1 Egyszeres
|
|
|
Dióda 2A, 10V Schottky korlát, Schottky, 2-tüskés, DO-214AC (SMA) 260mV
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 2.6 A, 12 V, 3-tüskés, SOT-23 PowerTrench Egyszeres Si
|
|
|
Dióda 500mA Schottky korlát, Schottky, 2-tüskés, DSN (0402) -390mV
|
|
|
Dióda 2A, 40V, 9.49ns Schottky korlát, Schottky, 2-tüskés, SOD-123F
|
|
|
Tranzisztor BC857CWT1G, PNP, -200 mA, -45 V, 100 MHz, 3-tüskés Egyszeres
|
|
|
onsemi MJF122G Darlington tranzisztor, NPN, 8 A, 100 V, HFE:1000, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres
|
|
|
onsemi 1.3 x 1.7 x 1mm Egyszeres MM3Z8V2B +150 °C 200 mW 630nA 14Ω Felületre szerelhető 8.2V 1 SOD-323F 2 Zener dióda
|
Nemrégiben keresett
