Diszkrét félvezetők
Kategóriák
Diszkrét félvezetők
(1355)
Bipoláris tranzisztorok
(122)
Darlington-párok
(114)
Hidas egyenirányítók
(176)
IGBT-k
(55)
JFET-ek
(213)
Kapcsolódiódák
(1806)
MOSFET-ek
(3)
PIN diódák
(271)
TVS diódák
(1046)
Zener diódák
Ár (ÁFA nélkül) | Leírás | Part Details |
|
Tranzisztor NST65010MW6T1G, PNP, -100 mA, -65 V, 100 MHz, 6-tüskés Izolált
|
|
|
AEC-Q101 Dióda 17A, 1200V SiC Schottky, SiC Schottky, 2-tüskés, TO-247
|
|
|
Digitális tranzisztor BC63916-D74Z, NPN, 100 V, 3-tüskés Egyszeres
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 9,5 A, 20 V, 6-tüskés, MicroFET 2 x 2 PowerTrench Egyszeres Si
|
|
|
onsemi 3.68 (Dia.) x 8.89mm Egyszeres 1N5378BG +200 °C 5 W 500nA 800Ω -65 °C Furatszerelt 100V 1 Surmetic 40 2 Zener
|
|
|
Tranzisztor SBC817-40LT1G, NPN, 500 mA, 45 V, 100 MHz, 3-tüskés Egyszeres
|
|
|
Digitális tranzisztor SPZTA42T1G, NPN, 500 mA, 300 V, 3 + Tab-tüskés Egyszeres
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si
|
|
|
Digitális tranzisztor BSS123L, 3-tüskés
|
|
|
Dióda 5A, 100V Schottky korlát, Schottky, 3-tüskés, DPAK (TO-252) 710mV
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 12 V, 6-tüskés, MicroFET 2 x 2 PowerTrench Egyszeres Si
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 44 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 FCH067N65S3 Egyszeres
|
|
|
onsemi MMBFJ270 JFET, P-csatornás, 15 V, Egyszeres, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres
|
|
|
MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 17,3 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 NTH SiC
|
|
|
Tranzisztor FZT649, NPN, 3 A, 25 V, 3 + Tab-tüskés Egyszeres
|
|
|
Dióda 10.1A, 650V SiC Schottky, SiC Schottky, 2+Tab-tüskés, D2PAK 2.4V
|
|
|
Digitális tranzisztor MMUN2114LT1G, PNP, -100 mA, -50 V, 3-tüskés Egyszeres
|
|
|
Dióda 50mA, 50V, 3-tüskés, MCP
|
|
|
onsemi 2.72 (Dia.) x 5.2mm Egyszeres 1N4742ATR +200 °C 1 W 5μA 9Ω -65 °C Furatszerelt 12V 1 DO-41 2 Zener dióda 21mA
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 150 V, 8-tüskés, PQFN 5 x 6 PowerTrench Si
|
Nemrégiben keresett
