Diszkrét félvezetők
Kategóriák
Diszkrét félvezetők
(1355)
Bipoláris tranzisztorok
(122)
Darlington-párok
(114)
Hidas egyenirányítók
(176)
IGBT-k
(55)
JFET-ek
(213)
Kapcsolódiódák
(1806)
MOSFET-ek
(3)
PIN diódák
(271)
TVS diódák
(1046)
Zener diódák
Ár (ÁFA nélkül) | Leírás | Part Details |
|
Dióda 2A, 200V, 35ns Szilícium átmenet, Egyenirányító, 2-tüskés, DO-214AA (SMB) 950mV
|
|
|
MOSFET, 2 elem/chip, 2 A, 2,5 A, 30 V, 6-tüskés, SOT-23 PowerTrench Izolált Si
|
|
|
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 60 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres
|
|
|
onsemi DF10S hidas egyenirányító, 1.5A, 1000V Szilícium átmenet, 4-tüskés, SDIP
|
|
|
AEC-Q101 onsemi 3.04 x 1.4 x 1.01mm Egyszeres 10mA 0.9V BZX84B4V7LT1G +150 °C 300 mW 3μA 80Ω -65 °C Felületre
|
|
|
Digitális tranzisztor MUN5213T1G, NPN, 100 mA, 50 V, 3-tüskés Egyszeres
|
|
|
onsemi MUR220G kapcsolódióda Szilícium átmenet, 2-tüskés, DO-41 950mV
|
|
|
onsemi MMBFJ112 JFET, N-csatornás, Egyszeres, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 76 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres
|
|
|
Dióda 1A, 400V, 300ns Szilícium átmenet, Gyorskapcsolású egyenirányító, 2-tüskés, DO-41 1.2V
|
|
|
onsemi NXH35C120L2C2SG IGBT-modul N-csatornás, 35 A, 650 V, DIP26 6
|
|
|
Dióda 2A, 100V Schottky korlát, Schottky, 2-tüskés, DO-214AA (SMB) 750mV
|
|
|
Dióda 3A, 200V, 35ns Szilícium átmenet, Egyenirányító, 2-tüskés, DO-214AB (SMC) 890mV
|
|
|
onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Egyszeres 1N5228BTR +200 °C 500 mW 10μA 23Ω -65 °C Furatszerelt 3.9V 1 -65 → +200 °C
|
|
|
Dióda 40A, 250V, 35ns Schottky, Schottky, 2-tüskés, TO-220AC
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 38 A, 40 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres
|
|
|
onsemi 4.32 x 3.56 x 2.13mm Egyszeres 1SMB5921BT3G +150 °C 550 mW 5μA 2.5Ω -65 °C Felületre szerelhető 6.8V 1 SMB 2
|
|
|
onsemi MJD112G Darlington tranzisztor, NPN, 2 A, 100 V, HFE:1000, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres
|
|
|
onsemi MMBD4148CA kapcsolódióda 200mA, 100V, 3-tüskés, SOT-23
|
|
|
onsemi 1N5400G Dióda Szilícium átmenet, 2-tüskés, DO-201AD 1V
|
Nemrégiben keresett
