Diszkrét félvezetők
Kategóriák
Diszkrét félvezetők
(1)
Darlington-párok
(15)
IGBT-k
(6)
JFET-ek
(5)
Kapcsolódiódák
(221)
MOSFET-ek
(3)
TVS diódák
(1)
Zener diódák
Ár (ÁFA nélkül) | Leírás | Part Details |
|
Toshiba TTD1409B,S4X(S Darlington tranzisztor, NPN, 6 A, 400 V, HFE:100, 3-tüskés, TO-220SIS
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 92 A, 40 V, 8-tüskés, SOP Egyszeres
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 2 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Szilikon
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 600 V, 3-tüskés, TO-3PN TK Egyszeres Si
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 TK090N65Z Szilikon
|
|
|
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres
|
|
|
Digitális tranzisztor RN2102(TE85L,F), PNP, -100 mA, -50 V, 3-tüskés Egyszeres
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-346 2SK Egyszeres Si
|
|
|
Digitális tranzisztor RN1107(TE85L,F), NPN, 100 mA, 50 V, 3-tüskés Egyszeres
|
|
|
Toshiba GT40QR21,F(O IGBT N-csatornás, 40 A, 1200 V, 2.5MHz, 3-tüskés, TO-3P Egyszeres
|
|
|
Dióda 2A, 30V, 2-tüskés, M-FLAT 370mV
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 9,7 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) TK Egyszeres Si
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 80 V, 3-tüskés, TO-220 TK Egyszeres Si
|
|
|
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 58 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220SIS TK Egyszeres Si
|
|
|
Tranzisztor 2SA1941-O(Q), PNP, -10 A, -140 V, 30 MHz, 3-tüskés Egyszeres
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 600 V, 3-tüskés, TO-3PN TK Egyszeres Si
|
|
|
Dióda 300mA, 250V, 60ns Szilícium átmenet, Szilícium átmenet, 3-tüskés, SOT-323 (SC-70) 1.2V
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 2 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Szilikon
|
Nemrégiben keresett
