Infineon

Diszkrét félvezetők

Kategóriák

1 megtekintése - 20 / 6309 termék
A kiválasztottak összehasonlítása 0/8
Megtekintés mint:
Ár
(ÁFA nélkül)
Leírás
Part Details
MOSFET, 61 A, 55 V, DPAK
  • 515 Ft
    Darab (2 darabos csomagbol)
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
MOSFET, 61 A, 55 V, DPAK
  • Maximális folyamatos nyelőáram61 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség55 V
  • Csomag típusaDPAK
  • Rögzítés típusaSMD
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
MOSFET, 1 elem/chip, 97 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si
  • 447 Ft
    Darab (egy rudon 50)
MOSFET, 1 elem/chip, 97 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram97 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség100 V
  • SorozatHEXFET
  • Csomag típusaTO-220AB
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
Infineon FF2400RB12IP7BPSA1 IGBT-modul, 2,4 kA, 1200 V, PRIME3+
  • 398 023 Ft
    Darab (egy talcan 2)
Infineon FF2400RB12IP7BPSA1 IGBT-modul, 2,4 kA, 1200 V, PRIME3+
  • Maximális folyamatos kollektoráram2,4 kA
  • Maximális kollektor kibocsátó feszültség1200 V
  • Maximális kapu kibocsátó feszültség±20V
  • Maximális teljesítménydisszipáció20 mW
  • Csomag típusaPRIME3+
Hasonló IGBT-k megtekintése
SCR tirisztor modul 1800V, 775A, 250mA
  • 129 745 FtDarab
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
SCR tirisztor modul 1800V, 775A, 250mA
  • Névleges átlagos nyitó irányú áram775A
  • Tirisztor típusaSCR
  • Ismétlődő záró irányú csúcsfeszültség1800V
  • Névleges impulzusáram23500A
  • Névleges áramerősség775A
Hasonló Tirisztorok megtekintése
MOSFET, 43 A, 60 V, D-Pak (TO-252AA)
  • 172 Ft
    Darab (2000 egy tekercsen)
MOSFET, 43 A, 60 V, D-Pak (TO-252AA)
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram43 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség60 V
  • Csomag típusaD-Pak (TO-252AA)
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
Infineon FF2400RB12IP7BPSA1 IGBT-modul, 2,4 kA, 1200 V, PRIME3+
  • 398 022 FtDarab
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
Infineon FF2400RB12IP7BPSA1 IGBT-modul, 2,4 kA, 1200 V, PRIME3+
  • Maximális folyamatos kollektoráram2,4 kA
  • Maximális kollektor kibocsátó feszültség1200 V
  • Maximális kapu kibocsátó feszültség±20V
  • Maximális teljesítménydisszipáció20 mW
  • Csomag típusaPRIME3+
Hasonló IGBT-k megtekintése
MOSFET, 43 A, 60 V, D-Pak (TO-252AA)
  • 333 Ft
    Darab (5 darabos csomagbol)
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
MOSFET, 43 A, 60 V, D-Pak (TO-252AA)
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram43 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség60 V
  • Csomag típusaD-Pak (TO-252AA)
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
Dióda 22.8A, 1200V SiC Schottky, SiC Schottky, 2 + Tab-tüskés, TO-220 2.85V
  • 973 Ft
    Darab (egy rudon 500)
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
Dióda 22.8A, 1200V SiC Schottky, SiC Schottky, 2 + Tab-tüskés, TO-220 2.85V
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
  • Csomag típusaTO-220
  • Maximális folyamatos továbbítási áram22.8A
  • Ismétlődő záró irányú csúcsfeszültség1200V
  • Diódák konfigurációjaEgyszeres
Hasonló Schottky-diódák és egyenirányítók megtekintése
MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 200 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252)
  • 552 Ft
    Darab (3000 egy tekercsen)
MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 200 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252)
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram24 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség200 V
  • Csomag típusaDPAK (TO-252)
  • Rögzítés típusaFelületre szerelhető
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
PCT Dióda/tirisztor SCR modul 1600V, 330A, 200mA, 5-tüskés
  • 67 973 FtDarab
PCT Dióda/tirisztor SCR modul 1600V, 330A, 200mA, 5-tüskés
  • Névleges átlagos nyitó irányú áram330A
  • Tirisztor típusaPCT
  • Csomag típusa50 mm-es modul
  • Ismétlődő záró irányú csúcsfeszültség1600V
  • Névleges impulzusáram9100A
Hasonló Tirisztorok megtekintése
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 FP OptiMOS 3 Egyszeres Si
  • 620 Ft
    Darab (5 darabos csomagbol)
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 FP OptiMOS 3 Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram45 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség100 V
  • SorozatOptiMOS 3
  • Csomag típusaTO-220 FP
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
MOSFET, 1 elem/chip, 43 A, 700 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS CFD Egyszeres Si
  • 3 153 Ft
    Darab (egy rudon 30)
MOSFET, 1 elem/chip, 43 A, 700 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS CFD Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram43 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség700 V
  • Csomag típusaTO-247
  • SorozatCoolMOS CFD
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
Dióda 31.9A, 1200V SiC Schottky, SiC Schottky, 2 + Tab-tüskés, TO-220 2.6V
  • 1 516 Ft
    Darab (egy rudon 500)
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
Dióda 31.9A, 1200V SiC Schottky, SiC Schottky, 2 + Tab-tüskés, TO-220 2.6V
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
  • Csomag típusaTO-220
  • Maximális folyamatos továbbítási áram31.9A
  • Ismétlődő záró irányú csúcsfeszültség1200V
  • Diódák konfigurációjaEgyszeres
Hasonló Schottky-diódák és egyenirányítók megtekintése
MOSFET, 210 A, 60 V, D2-Pak
  • 579 Ft
    Darab (800 egy tekercsen)
MOSFET, 210 A, 60 V, D2-Pak
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram210 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség60 V
  • Csomag típusaD2-Pak
  • Rögzítés típusaFuratszerelt
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
MOSFET, 1 elem/chip, 143 A, 150 V, 8-tüskés, PG-HSOG-8
  • 1 099 Ft
    Darab (1800 egy tekercsen)
MOSFET, 1 elem/chip, 143 A, 150 V, 8-tüskés, PG-HSOG-8
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram143 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség150 V
  • Csomag típusaPG-HSOG-8
  • Rögzítés típusaFelületre szerelhető
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
MOSFET, 2 elem/chip, 16 A, 100 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 kettős OptiMOS-T2 Si
  • 178 Ft
    Darab (5000 egy tekercsen)
MOSFET, 2 elem/chip, 16 A, 100 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 kettős OptiMOS-T2 Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram16 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség100 V
  • Csomag típusaSuperSO8 5 x 6 kettős
  • SorozatOptiMOS-T2
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
MOSFET, 1 elem/chip, 58 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 OptiMOS 3 Egyszeres Si
  • 452 Ft
    Darab (egy rudon 50)
MOSFET, 1 elem/chip, 58 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 OptiMOS 3 Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram58 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség100 V
  • SorozatOptiMOS 3
  • Csomag típusaTO-220
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
Infineon IM564X6DXKMA1 IGBT N-csatornás, 20 A, 2,05 V, 24-tüskés, DIP 7
  • 5 515 Ft
    Darab (egy rudon 14)
Infineon IM564X6DXKMA1 IGBT N-csatornás, 20 A, 2,05 V, 24-tüskés, DIP 7
  • Maximális folyamatos kollektoráram20 A
  • Maximális kollektor kibocsátó feszültség2,05 V
  • Maximális kapu kibocsátó feszültség20V
  • Tranzisztorok száma7
  • Maximális teljesítménydisszipáció63.1 W
Hasonló IGBT-k megtekintése
MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 200 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252)
  • 901 Ft
    Darab (2 darabos csomagbol)
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 200 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252)
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram24 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség200 V
  • Csomag típusaDPAK (TO-252)
  • Rögzítés típusaFelületre szerelhető
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
MOSFET, 1 elem/chip, 5,2 A, 55 V, 3-tüskés, SOT-223 HEXFET Egyszeres Si
  • 122 Ft
    Darab (2500 egy tekercsen)
MOSFET, 1 elem/chip, 5,2 A, 55 V, 3-tüskés, SOT-223 HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram5,2 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség55 V
  • SorozatHEXFET
  • Csomag típusaSOT-223
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
Nemrégiben keresett
Gyakran ismételt kérdések
Segítségre van szüksége?
Hívja ügyfélszolgálatunkat:
06 1 580 2262
Szolgáltatások
Rólunk
Népszerű témák
Hívjon minket
06 1 580 2262
© RS Components Sp. z o.o.
ul. Domaniewska 48 02-672 Warszawa Poland
Payment options