Diszkrét félvezetők
Kategóriák
Diszkrét félvezetők
(1355)
Bipoláris tranzisztorok
(122)
Darlington-párok
(114)
Hidas egyenirányítók
(176)
IGBT-k
(55)
JFET-ek
(213)
Kapcsolódiódák
(1806)
MOSFET-ek
(3)
PIN diódák
(271)
TVS diódák
(1046)
Zener diódák
Ár (ÁFA nélkül) | Leírás | Part Details |
|
MOSFET, 2 elem/chip, 7 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Izolált Si
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 128 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 60 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres
|
|
|
Dióda 1A, 1000V Szilícium átmenet, Egyenirányító, 2-tüskés, DO-41 1.1V
|
|
|
Dióda 200mA, 100V, 4ns Szilícium átmenet, Egyenirányító, 3-tüskés, SOT-23 1V
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 192 A, 40 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si
|
|
|
Digitális tranzisztor MMUN2133LT1G, PNP, -100 mA, -50 V, 3-tüskés Egyszeres
|
|
|
MOSFET, 2 elem/chip, 6.9 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Izolált Si
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 2.4 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 PowerTrench Egyszeres Si
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 8.5 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Egyszeres Si
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 2 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 PowerTrench Egyszeres Si
|
|
|
Tranzisztor MMBT5551LT1G, NPN, 600 mA, 160 V, 3-tüskés Egyszeres
|
|
|
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 89 A, 80 V, 5-tüskés, DFN Egyszeres
|
|
|
onsemi 2.84 x 1.8 x 1.25mm Egyszeres MMSZ5272BT3G +150 °C 500 mW 100nA 750Ω -55 °C Felületre szerelhető 110V 1 -55
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 2,4 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres
|
|
|
onsemi FGH75T65SQDNL4 IGBT P-csatornás, 200 A, 650 V, 1MHz, 4-tüskés, TO-247 1 Egyszeres
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 60 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres
|
|
|
onsemi DF04S hidas egyenirányító, 1.5A, 400V Szilícium átmenet, 4-tüskés, SDIP
|
|
|
onsemi 3.04 x 1.4 x 1.01mm Egyszeres BZX84C43LT1G +150 °C 225 mW 50nA 150Ω -65 °C Felületre szerelhető 43V 1 SOT-23 3
|
|
|
AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 49 A, 60 V, 8-tüskés, DFN NVMFD5C672NL
|
Nemrégiben keresett
