Diszkrét félvezetők
Kategóriák
Diszkrét félvezetők
(1347)
Bipoláris tranzisztorok
(121)
Darlington-párok
(114)
Hidas egyenirányítók
(173)
IGBT-k
(55)
JFET-ek
(210)
Kapcsolódiódák
(1795)
MOSFET-ek
(3)
PIN diódák
(267)
TVS diódák
(1037)
Zener diódák
Ár (ÁFA nélkül) | Leírás | Part Details |
|
Tranzisztor FZT749, PNP, 3 A, 25 V, 100 MHz, 3 + Tab-tüskés Egyszeres
|
|
|
Tranzisztor MJF15031G, PNP, -16 A, -150 V, 10 MHz, 3-tüskés Egyszeres
|
|
|
Tranzisztor SBC807-40WT1G, PNP, -500 mA, -45 V, 100 MHz, 3-tüskés Egyszeres
|
|
|
Dióda 2A, 30V Schottky korlát, Schottky, 2-tüskés, DSN - 0603 -480mV
|
|
|
onsemi 3.04 x 1.4 x 1.01mm Egyszeres MMBZ5250BLT1G +150 °C 300 mW 100nA 25Ω -65 °C Felületre szerelhető 20V 1 -65
|
|
|
Tranzisztor MJL1302AG, PNP, -15 A, -260 V, 30 MHz, 3-tüskés Egyszeres
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 340 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-323 Egyszeres Si
|
|
|
onsemi 2.72 (Dia.) x 5.2mm Egyszeres 1N4735A +200 °C 1 W 10μA 2Ω -65 °C Furatszerelt 6.2V 1 DO-41 2 Zener dióda 41mA
|
|
|
Digitális tranzisztor FDMA430NZ, 6-tüskés
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 33 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si
|
|
|
Tranzisztor KSC945YBU, NPN, 150 mA, 50 V, 1 MHz, 3-tüskés Egyszeres
|
|
|
onsemi 2.84 x 1.8 x 1.25mm Egyszeres MMSZ4693T1G +150 °C 500 mW 10μA -55 °C Felületre szerelhető 7.5V 1 -55 →
|
|
|
onsemi NXH80B120MNQ0SNG IGBT-modul, Q0BOOST - 180AJ. Eset (ólommentes és halogenidmentes forrasztócsapok) 2
|
|
|
Digitális tranzisztor MUN2233T1G, NPN, 100 mA, 50 V, 3-tüskés Egyszeres
|
|
|
onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Egyszeres 1N5243BTR +200 °C 500 mW 500nA 13Ω -65 °C Furatszerelt 13V 1 -65 → +200 °C
|
|
|
Tranzisztor MJH6287G, PNP, -40 A, -100 V, 1 MHz, 3-tüskés Egyszeres
|
|
|
onsemi 1N4005RLG kapcsolódióda Szilícium átmenet, 2-tüskés, DO-41 1.1V
|
|
|
Tranzisztor 2SC5964-TD-E, NPN, 3 A, 50 V, 1 MHz, 3-tüskés Egyszeres
|
|
|
Tranzisztor BC847BLT3G, NPN, 100 mA, 45 V, 100 MHz, 3-tüskés Egyszeres
|
|
|
Digitális tranzisztor DTC114EM3T5G, NPN, 100 mA, 50 V, 3-tüskés Egyszeres
|
Nemrégiben keresett
